Production and investigation of Cu/thin intermediate tunnel-transparent dielectric oxide layer/n-Pb₀.₉₃₅Sn₀.₀₆₅Te₀.₂₄₃Se₀.₇₅₇/In Schottky barrier structures
The high-planar epitaxial layers of n-Pb₀.₉₃₅Sn₀.₀₆₅Te₀.₂₄₃Se₀.₇₅₇ quaternary solid solutions, lattice matched with {111}BaF2 substrates, have been grown from bounded volume of supersaturated melt-solutions in the growth temperature region 773-873 K by the liquid phase epitaxy technique at a program...
Збережено в:
| Дата: | 2002 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2002
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/119567 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Production and investigation of Cu/thin intermediate tunnel-transparent dielectric oxide layer/n-Pb₀.₉₃₅Sn₀.₀₆₅Te₀.₂₄₃Se₀.₇₅₇/In Schottky barrier structures / A.I. Tkachuk, O.N. Tsarenko, S.I. Ryabets // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2002. — Т. 5, № 1. — С. 51-57. — Бібліогр.: 20 назв. — англ. |