Рекомбінація та прилипання нерівноважних носіїв в n-InSb

за авторством Tetyorkin, V.V., Tkachuk, A.I., Lutsyshyn, I.G.
Опубліковано 2024

Properties of the Pb₁-ₓSnₓTe₁-ᵧSeᵧ epitaxial layers grown from the supersaturated melt-solution on dielectric and semiconductor substrates

за авторством Tsarenko, O.N., Ryabets, S.I., Tkachuk, A.I.
Опубліковано 2005

Heterostructure ohmic contacts to p-CdTe polycrystalline films

за авторством Sukach, A.V., Tetyorkin, V.V., Tkachuk, A.I.
Опубліковано 2014

Carrier transport mechanisms in reverse biased InSb p-n junctions

за авторством Sukach, A.V., Tetyorkin, V.V., Tkachuk, A.I.
Опубліковано 2015

Electrical properties of InSb p-n junctions prepared by diffusion methods

за авторством Sukach, A.V., Tetyorkin, V.V., Tkachuk, A.I.
Опубліковано 2016

Production and investigation of Cu/thin intermediate tunnel-transparent dielectric oxide layer/n-Pb₀.₉₃₅Sn₀.₀₆₅Te₀.₂₄₃Se₀.₇₅₇/In Schottky barrier structures...

за авторством Tkachuk, A.I., Tsarenko, O.N., Ryabets, S.I.
Опубліковано 2002

Injection current and infrared photosensitivity in isotype p-PbTe/p-CdTe heterojunctions

за авторством Tetyorkin, V.V., Sukach, A.V., Tkachuk, A.I., Movchan, S.P.
Опубліковано 2013

Characterization of grain boundaries in CdTe polycrystalline films

за авторством Tetyorkin, V.V., Sukach, A.V., Boiko, V.A., Tkachuk, A.I.
Опубліковано 2015