Efficiency limit for diffusion silicon solar cells at concentrated illumination

• Видавець: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
• Дата: 1999
• Автори: Gorban, A.P., Kostylyov, V.P., Sachenko, A.V., Serba, A.A.
• Формат: Стаття
• Мова: English
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 1999
• Назва видання: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/119858
• Цитувати: Efficiency limit for diffusion silicon solar cells at concentrated illumination / A.P. Gorban, V.P. Kostylyov, A.V. Sachenko, A.A. Serba // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1999. — Т. 2, № 2. — С. 45-49. — Бібліогр.: 15 назв. — англ.

A general approach has been developed to calculation of photoconversion efficiency of thinbase silicon solar cells with double-sided metallization for concentrated solar illumination. The full absorption of photoactive radiation has been theoretically simulated, the light absorption by free charge c...