Efficiency limit for diffusion silicon solar cells at concentrated illumination
A general approach has been developed to calculation of photoconversion efficiency of thinbase silicon solar cells with double-sided metallization for concentrated solar illumination. The full absorption of photoactive radiation has been theoretically simulated, the light absorption by free charge c...
Збережено в:
| Дата: | 1999 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
1999
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/119858 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Efficiency limit for diffusion silicon solar cells at concentrated illumination / A.P. Gorban, V.P. Kostylyov, A.V. Sachenko, A.A. Serba // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1999. — Т. 2, № 2. — С. 45-49. — Бібліогр.: 15 назв. — англ. |