Conversion efficiency in silicon solar cells with spatially non-uniform doping
The conversion efficiency of diffusion-type silicon solar cells, η, is studied theoretically in assumption of different doping levels existing under collection grid contacts and within the inter-contact spacing. It is shown that at high under-contact doping levels and at relatively low inter-contact...
Збережено в:
Дата: | 1999 |
---|---|
Автори: | , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
1999
|
Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/119872 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Conversion efficiency in silicon solar cells with spatially non-uniform doping / A.V. Sachenko, N.A. Prima, A.P. Gorban // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1999. — Т. 2, № 3. — С. 32-37. — Бібліогр.: 15 назв. — англ. |