Growth of graphene on 6H-SiC by molecular dynamics simulation
Classical molecular-dynamics simulations were carried out to study epitaxial growth of graphene on 6H-SiC(0001) substrate. It was found that there exists a threshold annealing temperature above which we observe formation of graphitic structure on the substrate. To check the sensitivity of the simula...
Збережено в:
| Видавець: | Інститут фізики конденсованих систем НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2011 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики конденсованих систем НАН України
2011
|
| Назва видання: | Condensed Matter Physics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120056 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Growth of graphene on 6H-SiC by molecular dynamics simulation / N. Jakse, R. Arifin, S.K. Lai // Condensed Matter Physics. — 2011. — Т. 14, № 4. — С. 43802:1-7. — Бібліогр.: 12 назв. — англ. |