Modification of photoelectric and electrical properties of III-V semiconductors by pulsed laser irradiation
The effect of nanosecond ruby laser pulses on the photoelectric and electrical properties of GaAs and InSb single crystals with different pre-treated surfaces was studied. The photoconductivity, surface recombination rate and electrical resistivity of the samples have been analysed before and after...
Збережено в:
| Дата: | 2000 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2000
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120232 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Modification of photoelectric and electrical properties of III-V semiconductors by pulsed laser irradiation / V.A. Gnatyuk, O.S. Gorodnychenko, P.O. Mozol, O.I. Vlasenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2000. — Т. 3, № 1. — С. 26-30. — Бібліогр.: 14 назв. — англ. |