Результати пошуку - Vlasenko, O.I.
- Показ 1 - 10 результатів із 10
-
1
Лазерно-стимульоване збiльшення вiдбиваючої здатностi монокристалiчного n-GaAs(100) за авторством Gentsar, P. O., Vlasenko, O. I., Levytskyi, S. M.
Опубліковано 2018
Отримати повний текст
Стаття -
2
Acoustodynamic transformation of the defect structure in Hg₁₋xCdx Te alloys за авторством Olikh, Y.M., Savkina, R.K., Vlasenko, O.I.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2000)Отримати повний текст
Стаття -
3
Study of surface influence on the n-Ge(110) electroreflectance spectra and their polarization spectroscopy за авторством Vlasenko, O.I., Gentsar, P.O., Stronski, A.V.
Опубліковано в: Functional Materials (2009)Отримати повний текст
Стаття -
4
Modification of photoelectric and electrical properties of III-V semiconductors by pulsed laser irradiation за авторством Gnatyuk, V.A., Gorodnychenko, O.S., Mozol, P.O., Vlasenko, O.I.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2000)Отримати повний текст
Стаття -
5
-
6
-
7
Механізми масопереносу індію в CdTe при дії наносекундних лазерних імпульсів за авторством Baidullaeva, A., Veleshchuk, V.P., Vlasenko, O.I., Gnatyuk, V.A., Dauletmuratov, B.K., Levitskii, S.M., Aoki, T.
Опубліковано 2022
Отримати повний текст
Стаття -
8
Структура Те-CdTe со свойством электронного переключения с памятью за авторством Baidullaeva, А., Borshch, V. V., Veleschuk, V. P., Vlasenko, O. I., Dauletmuratov, B. K., Levytskyi, S. N., Mozol', P. E.
Опубліковано 2007Отримати повний текст
Стаття -
9
Distribution of components in epitaxial graded band gap heterostructures Cd(Mn, Zn)Te – Cd(Mn, Zn)HgTe and their photoelectrical properties за авторством Vlasenko, O.I., Babentsov, V.M., Vlasenko, Z.K., Ponedilok, A.V., Kurilo, I.V., Rudyj, I.O., Kremenitskiy, V.V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (1998)Отримати повний текст
Стаття -
10
Вплив розкиду значень електричних параметрів RGB-світлодіодів на однорідність світіння світлодіодних екранів при мінімальній градації яскравості... за авторством Veleschuk, V. P., Vlasenko, O. I., Vlasenko, Z. K., Shynkarenko, V. V., Kudryk, Ya. Ya., Sai, P. O., Borshch, V. V.
Опубліковано 2017Отримати повний текст
Стаття
Інструменти для пошуку:
Пов'язані теми
-
CdTe
Characterization and properties
I-V curves
InGaN/GaN
RGB LED
RGB-світлодіод
cadmium telluride
iмпульсне лазерне опромiнення
laser irradiation
memory switching element
n-GaAs(100)
near-surface layer
pulsed laser irradiation
reflection spectra
refractive index
tellurium film
електричні параметри
лазерне опромiнення
неоднорідність світіння
переключающий элемент с памятью
пленка теллура
показник заломлення
приповерхневий шар
спектри вiдбиття