Modification of photoelectric and electrical properties of III-V semiconductors by pulsed laser irradiation

• Дата: 2000
• Автори: Gnatyuk, V.A., Gorodnychenko, O.S., Mozol, P.O., Vlasenko, O.I.
• Формат: Стаття
• Мова: English
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2000
• Назва видання: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120232
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Modification of photoelectric and electrical properties of III-V semiconductors by pulsed laser irradiation / V.A. Gnatyuk, O.S. Gorodnychenko, P.O. Mozol, O.I. Vlasenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2000. — Т. 3, № 1. — С. 26-30. — Бібліогр.: 14 назв. — англ.

The effect of nanosecond ruby laser pulses on the photoelectric and electrical properties of GaAs and InSb single crystals with different pre-treated surfaces was studied. The photoconductivity, surface recombination rate and electrical resistivity of the samples have been analysed before and after...