Saddle point excitonic resonances in BiI3 layered single crystals

Excitonic resonances near the critical saddle point of M₁ sort by van Hove have been revealed for the first time in the BiI₃ layered semiconductor. Their main parameters are estimated.

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:1999
Автори: Kudryavtsev, O.O., Lisitsa, M.P., Motsnyi, F.V., Virko, S.V.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 1999
Назва видання:Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120249
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Saddle point excitonic resonances in BiI3 layered single crystals / O.O. Kudryavtsev, M.P. Lisitsa, F.V. Motsnyi, S.V. Virko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1999. — Т. 2, № 4. — С. 19-22. — Бібліогр.: 14 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine