Эффекты слабой локализации и взаимодействия носителей заряда в двумерном дырочном газе в германиевой квантовой яме в гетероструктуре SiGe/Ge/SiGe

Изучены эффекты слабой локализации и взаимодействия носителей заряда в двумерном дырочном газе в квантовой яме из чистого германия в гетероструктуре SiGe/Ge/SiGe с концентрацией дырок 5,68⋅10¹¹ см⁻² и их подвижностью 4,68⋅10⁴см²⋅В⁻¹⋅ с⁻¹ . Измерения сопротивления проведены при температурах от 46 мК...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2006
Автори: Беркутов, И.Б., Комник, Ю.Ф., Андриевский, В.В., Mironov, O.A., Myronov, M., Leadley, D.R.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2006
Назва видання:Физика низких температур
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120313
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Эффекты слабой локализации и взаимодействия носителей заряда в двумерном дырочном газе в германиевой квантовой яме в гетероструктуре SiGe/Ge/SiGe / И.Б. Беркутов, Ю.Ф. Комник, В.В. Андриевсикй, O.A. Mironov, M. Myronov, D.R. Leadley // Физика низких температур. — 2006. — Т. 32, № 7. — С. 896–904. — Бібліогр.: 21 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-120313
record_format dspace
spelling irk-123456789-1203132017-06-12T03:05:38Z Эффекты слабой локализации и взаимодействия носителей заряда в двумерном дырочном газе в германиевой квантовой яме в гетероструктуре SiGe/Ge/SiGe Беркутов, И.Б. Комник, Ю.Ф. Андриевский, В.В. Mironov, O.A. Myronov, M. Leadley, D.R. Низкоразмерные и неупорядоченные системы Изучены эффекты слабой локализации и взаимодействия носителей заряда в двумерном дырочном газе в квантовой яме из чистого германия в гетероструктуре SiGe/Ge/SiGe с концентрацией дырок 5,68⋅10¹¹ см⁻² и их подвижностью 4,68⋅10⁴см²⋅В⁻¹⋅ с⁻¹ . Измерения сопротивления проведены при температурах от 46 мК до 10 К в магнитных полях до 15 Тл. Магнитополевые зависимости сопротивления демонстрируют осцилляции Шубникова–де Гааза и ступеньки квантового эффекта Холла. В области очень слабых магнитных полей (B < 01, Тл) выявлен эффект слабой локализации дырок, который определяет отрицательное магнитосопротивление и рост сопротивления с понижением температуры (при T < 2 К). Проявление эффекта взаимодействия обнаружено и проанализировано в широкой области температур и магнитных полей. При повышении температуры происходит переход от диффузионного режима проявления квантовой поправки взаимодействия к промежуточному и далее к баллистическому режиму. Во всех областях поведение квантовой поправки взаимодействия хорошо соответствует современным теоретическим предсказаниям. Вивчено ефекти слабкої локалізації та взаємодії носіїв заряду в двовимірному газі дірок у квантовій ямі з чистого германію в гетероструктурі SiGe/Ge/SiGe з концентрацією дірок 5,68⋅10¹¹ см⁻² і їх рухомістю 4,68⋅10⁴см²⋅В⁻¹⋅ с⁻¹. Вимірювання опору проведено при температурах від 46 мК до 10 К у магнітних полях до 15 Тл. Магнітопольові залежності опору демонструють осциляції Шубнікова–де Гааза та сходинки квантового ефекту Холла. В області дуже слабких магнітних полів (B < 01, Тл) виявлено ефект слабкої локалізації дірок, який визначає негативний магнітоопір та зростання опору зі зниженням температури (при T < 2 К). Прояв ефекту взаємодії виявлено та проаналізовано у широких межах температур та магнітних полів. При підвищенні температури здійснюється перехід від дифузійного режиму прояву квантової поправки взаємодії до проміжного та далі до балістичного режиму. В усіх вказаних областях поведінка квантової поправки до провідності, яка обумовлена взаємодією, добре відповідає сучасним теоретичним завбаченням. The effects of weak localization and interaction of charge carriers in a two-dimensional hole gas in a pure Ge quantum well in the SiGe/Ge/SiGe heterostructure have been investigated. The hole concentration was 5,68⋅10¹¹ см⁻² and mobility4,68⋅10⁴см²⋅V⁻¹⋅ s⁻¹. The resistance was measured at T = 46 mk—10 K in magnetic fields up to 15 T. The magnetic field dependences of resistance exhibit Shubnikov—de Haas oscillations and steps of the quantum Hall effect. The effect of weak localization of holes has been revealed in very weak magnetic fields (B < 0.1 T). This effect is responsible for a negative magnetoresistance and a growth of resistance with lowering temperature (at T < 2 K). The interaction effect has been detected and analyzed in a wide range of temperatures and magnetic fields. As the temperature is increase, the diffusion regime of existence of the quantum interaction correction changes first into the intermediate regime and then to the ballistic one. In all the regions the behavior of the quantum interaction-related correction demonstrated good consistency with current theoretical predictions. 2006 Article Эффекты слабой локализации и взаимодействия носителей заряда в двумерном дырочном газе в германиевой квантовой яме в гетероструктуре SiGe/Ge/SiGe / И.Б. Беркутов, Ю.Ф. Комник, В.В. Андриевсикй, O.A. Mironov, M. Myronov, D.R. Leadley // Физика низких температур. — 2006. — Т. 32, № 7. — С. 896–904. — Бібліогр.: 21 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 72.20.My, 73.20.Fz http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120313 ru Физика низких температур Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Низкоразмерные и неупорядоченные системы
Низкоразмерные и неупорядоченные системы
spellingShingle Низкоразмерные и неупорядоченные системы
Низкоразмерные и неупорядоченные системы
Беркутов, И.Б.
Комник, Ю.Ф.
Андриевский, В.В.
Mironov, O.A.
Myronov, M.
Leadley, D.R.
Эффекты слабой локализации и взаимодействия носителей заряда в двумерном дырочном газе в германиевой квантовой яме в гетероструктуре SiGe/Ge/SiGe
Физика низких температур
description Изучены эффекты слабой локализации и взаимодействия носителей заряда в двумерном дырочном газе в квантовой яме из чистого германия в гетероструктуре SiGe/Ge/SiGe с концентрацией дырок 5,68⋅10¹¹ см⁻² и их подвижностью 4,68⋅10⁴см²⋅В⁻¹⋅ с⁻¹ . Измерения сопротивления проведены при температурах от 46 мК до 10 К в магнитных полях до 15 Тл. Магнитополевые зависимости сопротивления демонстрируют осцилляции Шубникова–де Гааза и ступеньки квантового эффекта Холла. В области очень слабых магнитных полей (B < 01, Тл) выявлен эффект слабой локализации дырок, который определяет отрицательное магнитосопротивление и рост сопротивления с понижением температуры (при T < 2 К). Проявление эффекта взаимодействия обнаружено и проанализировано в широкой области температур и магнитных полей. При повышении температуры происходит переход от диффузионного режима проявления квантовой поправки взаимодействия к промежуточному и далее к баллистическому режиму. Во всех областях поведение квантовой поправки взаимодействия хорошо соответствует современным теоретическим предсказаниям.
format Article
author Беркутов, И.Б.
Комник, Ю.Ф.
Андриевский, В.В.
Mironov, O.A.
Myronov, M.
Leadley, D.R.
author_facet Беркутов, И.Б.
Комник, Ю.Ф.
Андриевский, В.В.
Mironov, O.A.
Myronov, M.
Leadley, D.R.
author_sort Беркутов, И.Б.
title Эффекты слабой локализации и взаимодействия носителей заряда в двумерном дырочном газе в германиевой квантовой яме в гетероструктуре SiGe/Ge/SiGe
title_short Эффекты слабой локализации и взаимодействия носителей заряда в двумерном дырочном газе в германиевой квантовой яме в гетероструктуре SiGe/Ge/SiGe
title_full Эффекты слабой локализации и взаимодействия носителей заряда в двумерном дырочном газе в германиевой квантовой яме в гетероструктуре SiGe/Ge/SiGe
title_fullStr Эффекты слабой локализации и взаимодействия носителей заряда в двумерном дырочном газе в германиевой квантовой яме в гетероструктуре SiGe/Ge/SiGe
title_full_unstemmed Эффекты слабой локализации и взаимодействия носителей заряда в двумерном дырочном газе в германиевой квантовой яме в гетероструктуре SiGe/Ge/SiGe
title_sort эффекты слабой локализации и взаимодействия носителей заряда в двумерном дырочном газе в германиевой квантовой яме в гетероструктуре sige/ge/sige
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
publishDate 2006
topic_facet Низкоразмерные и неупорядоченные системы
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120313
citation_txt Эффекты слабой локализации и взаимодействия носителей заряда в двумерном дырочном газе в германиевой квантовой яме в гетероструктуре SiGe/Ge/SiGe / И.Б. Беркутов, Ю.Ф. Комник, В.В. Андриевсикй, O.A. Mironov, M. Myronov, D.R. Leadley // Физика низких температур. — 2006. — Т. 32, № 7. — С. 896–904. — Бібліогр.: 21 назв. — рос.
series Физика низких температур
work_keys_str_mv AT berkutovib éffektyslabojlokalizaciiivzaimodejstviânositelejzarâdavdvumernomdyročnomgazevgermanievojkvantovojâmevgeterostrukturesigegesige
AT komnikûf éffektyslabojlokalizaciiivzaimodejstviânositelejzarâdavdvumernomdyročnomgazevgermanievojkvantovojâmevgeterostrukturesigegesige
AT andrievskijvv éffektyslabojlokalizaciiivzaimodejstviânositelejzarâdavdvumernomdyročnomgazevgermanievojkvantovojâmevgeterostrukturesigegesige
AT mironovoa éffektyslabojlokalizaciiivzaimodejstviânositelejzarâdavdvumernomdyročnomgazevgermanievojkvantovojâmevgeterostrukturesigegesige
AT myronovm éffektyslabojlokalizaciiivzaimodejstviânositelejzarâdavdvumernomdyročnomgazevgermanievojkvantovojâmevgeterostrukturesigegesige
AT leadleydr éffektyslabojlokalizaciiivzaimodejstviânositelejzarâdavdvumernomdyročnomgazevgermanievojkvantovojâmevgeterostrukturesigegesige
first_indexed 2023-10-18T20:36:45Z
last_indexed 2023-10-18T20:36:45Z
_version_ 1796150654528389120