Эффекты слабой локализации и взаимодействия носителей заряда в двумерном дырочном газе в германиевой квантовой яме в гетероструктуре SiGe/Ge/SiGe
Изучены эффекты слабой локализации и взаимодействия носителей заряда в двумерном дырочном газе в квантовой яме из чистого германия в гетероструктуре SiGe/Ge/SiGe с концентрацией дырок 5,68⋅10¹¹ см⁻² и их подвижностью 4,68⋅10⁴см²⋅В⁻¹⋅ с⁻¹ . Измерения сопротивления проведены при температурах от 46 мК...
Збережено в:
Дата: | 2006 |
---|---|
Автори: | Беркутов, И.Б., Комник, Ю.Ф., Андриевский, В.В., Mironov, O.A., Myronov, M., Leadley, D.R. |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2006
|
Назва видання: | Физика низких температур |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120313 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Эффекты слабой локализации и взаимодействия носителей заряда в двумерном дырочном газе в германиевой квантовой яме в гетероструктуре SiGe/Ge/SiGe / И.Б. Беркутов, Ю.Ф. Комник, В.В. Андриевсикй, O.A. Mironov, M. Myronov, D.R. Leadley // Физика низких температур. — 2006. — Т. 32, № 7. — С. 896–904. — Бібліогр.: 21 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Особенности осцилляций Шубникова–де Гааза проводимости высокоподвижного двумерного дырочного газа в квантовой яме SiGe/Ge/SiGe
за авторством: Комник, Ю.Ф., та інші
Опубліковано: (2006) -
Overheating effect and hole-phonon interaction in SiGe heterostructures
за авторством: Berkutov, I.B., та інші
Опубліковано: (2008) -
Температурная зависимость времени электрон-фононного рассеяния носителей заряда в p-Si/SiGe гетеропереходах
за авторством: Беркутов, И.Б., та інші
Опубліковано: (2000) -
Квантовая интерференция и спин-орбитальные эффекты в гетероструктуре с 2D дырочным газом в квантовой яме Si₀,₂Ge₀,₈
за авторством: Андриевский, В.В., та інші
Опубліковано: (2003) -
Молекулярная эпитаксия и электронные свойства гетеросистем Ge/Si с квантовыми точками
за авторством: Двуреченский, А.В., та інші
Опубліковано: (2004)