Conductivity of the Bi₁₂SiO₂₀ thin films
The results of the conductivity examination in the Bi₁₂SiO₂₀ thin films prepared using the sol-gel method are presented. The conductivity was investigated in the 300–550 K temperature and up to 100 V/cm field ranges. It was observed that the charge carrier transfer at the flow level, situated in the...
Збережено в:
| Дата: | 1999 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики конденсованих систем НАН України
1999
|
| Назва видання: | Condensed Matter Physics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120588 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Conductivity of the Bi₁₂SiO₂₀ thin films / S.N. Plyaka, G.Ch. Sokolyanskii, E.O. Klebanskii, L.Ja. Sadovskaya // Condensed Matter Physics. — 1999. — Т. 2, № 4(20). — С. 625-630. — Бібліогр.: 6 назв. — англ. |