Sub-THz nonresonant detection in AlGaN/GaN heterojunction FETs
Un-cooled AlGaN/GaN-based heterojunction field-effect transistors (HFET) designed on sapphire (0001) substrates were considered as 140 GHz direct detection detectors without any specially attached antennas. The noise equivalent power (NEP) of these detectors was ~ 10⁻¹⁰ W/Hz¹/² in the observed radia...
Збережено в:
| Дата: | 2015 |
|---|---|
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2015
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120648 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Sub-THz nonresonant detection in AlGaN/GaN heterojunction FETs / A.G. Golenkov, K.S. Zhuravlev, J.V. Gumenjuk-Sichevska, I.O. Lysiuk, F.F. Sizov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2015. — Т. 18, № 1. — С. 40-45. — Бібліогр.: 21 назв. — англ. |