Light absorption by inhomogeneous semiconductor film
Processes of light absorption by thin semiconductor film in the framework of local-field method are studied. The film is inhomogeneously implanted with O⁺ ions. A distribution of implanted layer is characterized by different profiles. The effective susceptibility (response to the external field) and...
Збережено в:
| Дата: | 2005 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2005
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120971 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Light absorption by inhomogeneous semiconductor film / L. Baraban, V. Lozovski // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2005. — Т. 8, № 3. — С. 66-73. — Бібліогр.: 24 назв. — англ. |