About the nature of diffusion anisotropy in CdS crystals

• Дата: 2000
• Автори: Borkovskaya, L.V., Dzhumaev, B.R., Khomenkova, L.Yu., Korsunskaya, N.E., Markevich, I.V., Sheinkman, M.K.
• Формат: Стаття
• Мова: English
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2000
• Назва видання: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121175
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: About the nature of diffusion anisotropy in CdS crystals / L.V. Borkovskaya, B.R.Dzhumaev, L.Yu. Khomenkova, N.E. Korsunskaya, I.V. Markevich, M.K. Sheinkman // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2000. — Т. 3, № 3. — С. 282-286. — англ.

Electrodiffusion of copper into nominally undoped high-resistivity CdS crystals at 250-400°C has been investigated. A strong diffusion anisotropy has been observed, copper diffusion in perpendicular to the c-axis direction being more than one order faster as compared with its diffusion in parallel t...