About the nature of diffusion anisotropy in CdS crystals
Electrodiffusion of copper into nominally undoped high-resistivity CdS crystals at 250-400°C has been investigated. A strong diffusion anisotropy has been observed, copper diffusion in perpendicular to the c-axis direction being more than one order faster as compared with its diffusion in parallel t...
Збережено в:
| Дата: | 2000 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2000
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121175 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | About the nature of diffusion anisotropy in CdS crystals / L.V. Borkovskaya, B.R.Dzhumaev, L.Yu. Khomenkova, N.E. Korsunskaya, I.V. Markevich, M.K. Sheinkman // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2000. — Т. 3, № 3. — С. 282-286. — англ. |