Paraelectric properties of PbTe doped with Ga
The static dielectric constant was investigated as a function of temperature and carrier concentration in In(Cu)/p-PbTe Schottky contacts. Single crystals of PbTe doped with Ga were used as substrates for preparation of the contacts. The static dielectric constant was found to obey the Curie-Weiss l...
Збережено в:
| Видавець: | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2000 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2000
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121179 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Paraelectric properties of PbTe doped with Ga / V. Tetyorkin, S. Movchan // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2000. — Т. 3, № 3. — С. 300-303. — Бібліогр.: 21 назв. — англ. |