Influence of ion implantation and annealing on composition and structure of GaAs surface
In this work investigated is the influence of barium ion implantation and subsequent annealing on composition, electronic and crystalline structure of GaAs surface. For the first time, the influence of low energy Ba⁺ ions implantation on the structure of GaAs surface was investigated using photoelec...
Збережено в:
| Видавець: | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2002 |
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2002
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121184 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Influence of ion implantation and annealing on composition and structure of GaAs surface / M.T. Normuradov, B.E. Umirzakov, D.A. Tashmukhamedova, A.K. Tashatov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2002. — Т. 5, № 2. — С. 138-141. — Бібліогр.: 9 назв. — англ. |