Photoelectric properties of ₂O₃-pGaSe-pInSe cascade heterostructures

Cascade heterostructure of nGa₂O₃-pGaSe-pInSe was created, and a corresponding band energy diagram was built. Electrical and photoelectric properties of this structure were investigated. Due to isotype pGaSe-pInSe heterojunction the photosensitivity spectrum of nGa₂O₃-pGaSe-pInSe heterostructure ext...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2002
Автори: Savchyn, V.P., Stakhira, J.M., Fiyala, Ya.M., Furtak, V.B.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2002
Назва видання:Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121192
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Photoelectric properties of ₂O₃-pGaSe-pInSe cascade heterostructures / V.P. Savchyn, J.M. Stakhira, Ya.M. Fiyala, V.B. Furtak // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2002. — Т. 5, № 2. — С. 176-179. — Бібліогр.: 23 назв. — англ.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine