Effect of electron irradiation on transparent conductive films ZnO:Al deposited at different sputtering power
Transparent conductive oxide thin films of Al-doped ZnO grown by rf magnetron sputtering were irradiated with high energy electrons with the energy 12.6 MeV and fluence 5·10¹⁴ e/cm². The films were produced using different sputtering powers. It has been shown that electron irradiation creates defect...
Збережено в:
Дата: | 2015 |
---|---|
Автори: | , , , , , , , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2015
|
Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121221 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Effect of electron irradiation on transparent conductive films ZnO:Al deposited at different sputtering power / D.V. Myroniuk, A.I. Ievtushenko, G.V. Lashkarev, V.T. Maslyuk, I.I. Timofeeva, V.A. Baturin, O.Yu. Karpenko, V.M. Kuznetsov, M.V. Dranchuk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2015. — Т. 18, № 3. — С. 286-291. — Бібліогр.: 25 назв. — англ. |