Deep-level defects in CdSe/ZnSe QDs and giant anti-Stokes photoluminescence

• Видавець: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
• Дата: 2002
• Автори: Valakh, M.Ya., Sadofyev, Yu.G., Korsunska, N.O., Semenova, G.N., Strelchuk, V.V., Borkovska, L.V., Vuychik, M.V., Sharibaev, M.
• Формат: Стаття
• Мова: English
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2002
• Назва видання: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121242
• Цитувати: Deep-level defects in CdSe/ZnSe QDs and giant anti-Stokes photoluminescence / M.Ya. Valakh, Yu.G. Sadofyev, N.O. Korsunska, G.N. Semenova, V.V. Strelchuk, L.V. Borkovska, M.V. Vuychik, M. Sharibaev // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2002. — Т. 5, № 3. — С. 254-257. — Бібліогр.: 4 назв. — англ.

CdSe/ZnSe structures with a quantum dot extrinsic photoluminescence band related to the defects that contain vacancies in cation sublattice has been investigated. It is shown that such defects can be localized in different parts of heterostructure (inside ZnSe barrier and cap layers, Zn₁-xCdxSe wett...