Thermal annealing and evolution of defects in neutron-irradiated cubic SiC

A careful study of neutron-irradiated cubic SiC crystals (3С-SiC(n)) has been performed using electron paramagnetic resonance (EPR) in the course of their thermal annealing within the 200…1100 °C temperature range. Several inherent temperatures have been found for annealing and transformations of pr...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2015
Автори: Bratus, V.Ya., Melnyk, R.S., Shanina, B.D., Okulov, S.M.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2015
Назва видання:Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121255
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Thermal annealing and evolution of defects in neutron-irradiated cubic SiC / V.Ya. Bratus’, R.S. Melnyk, B.D. Shanina, S.M. Okulov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2015. — Т. 18, № 4. — С. 403-409. — Бібліогр.: 30 назв. — англ.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine