Thermal annealing and evolution of defects in neutron-irradiated cubic SiC
A careful study of neutron-irradiated cubic SiC crystals (3С-SiC(n)) has been performed using electron paramagnetic resonance (EPR) in the course of their thermal annealing within the 200…1100 °C temperature range. Several inherent temperatures have been found for annealing and transformations of pr...
Збережено в:
| Дата: | 2015 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2015
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121255 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Thermal annealing and evolution of defects in neutron-irradiated cubic SiC / V.Ya. Bratus’, R.S. Melnyk, B.D. Shanina, S.M. Okulov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2015. — Т. 18, № 4. — С. 403-409. — Бібліогр.: 30 назв. — англ. |