Influence of nanostructured ITO films on surface recombination processes in silicon solar cells

This paper describes the results of comparative studies of illumination currentvoltage characteristics and spectral characteristics of silicon solar cells with rear location of the collector p-n-junction for the cases of non-passivated and passivated front illuminated surface. Passivation was perfor...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2015
Автори: Kostylyov, V.P., Sachenko, A.V., Serba, O.A., Slusar, T.V., Vlasyuk, V.M., Tytarenko, P.O., Chernenko, V.V.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2015
Назва видання:Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121277
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Influence of nanostructured ITO films on surface recombination processes in silicon solar cells / V.P. Kostylyov, A.V. Sachenko, O.A. Serba, T.V. Slusar, V.M. Vlasyuk, P.O. Tytarenko, V.V. Chernenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2015. — Т. 18, № 4. — С. 464-467. — Бібліогр.: 9 назв. — англ.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine