Study of non-reversible photostructural transformations in As₄₀S₆₀-xSex layers applied for fabrication of holographic protective elements

Thin vacuum-evaporated layers of As₄₀S₆₀-xSex composition are investigated using Raman spectroscopy from the viewpoint of thermo- and photostructural transformations in them. These transformations are considered as changes in their network structure including three types of piramidal units AsS₃/₂, A...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2002
Автори: Stronski, A.V., Vlcek, M., Kostyukevych, S.A., Tomchuk, V.M., Kostyukevych, E.V., Svechnikov, S.V., Kudryavtsev, A.A., Moskalenko, N.L., Koptyukh, A.A.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2002
Назва видання:Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121298
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Study of non-reversible photostructural transformations in As₄₀S₆₀-xSex layers applied for fabrication of holographic protective elements / A.V. Stronski, M. Vlcek, S.A. Kostyukevych, V.M. Tomchuk, E.V. Kostyukevych, S.V. Svechnikov, A.A. Kudryavtsev, N.L. Moskalenko, A.A. Koptyukh // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2002. — Т. 5, № 3. — С. 284-287. — Бібліогр.: 17 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси