Noise in HgCdTe LWIR arrays
Mercury cadmium telluride (MCT) hybrid arrays for long-wavelength infrared (LWIR) applications with n+-p-diodes and n-channel charged coupled devices (CCD) silicon readouts were designed, manufactured and tested. Performance of these arrays at T 80 K is considered. The measurements of noise and si...
Збережено в:
Дата: | 2002 |
---|---|
Автори: | Sizov, F.F., Golenkov, A.G., Zabudsky, V.V., Reva, V.P. |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2002
|
Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121337 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Noise in HgCdTe LWIR arrays / F.F. Sizov, A.G. Golenkov, V.V. Zabudsky, V.P. Reva // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2002. — Т. 5, № 4. — С. 398-402. — Бібліогр.: 4 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Medium wavelength infrared HgCdTe discrete photodetectors
за авторством: Z. F. Tsibrij, та інші
Опубліковано: (2017) -
Uncooled wide-range spectral optoelectronic devices on the base of HgCdTe semiconductor
за авторством: F. Sizov
Опубліковано: (2015) -
Uncooled wide-range spectral optoelectronic devices on the base of HgCdTe semiconductor
за авторством: F. Sizov
Опубліковано: (2015) -
In–HgCdTe–In structures with symmetric nonlinear I–V characteristics for sub-THz direct detection
за авторством: N. I. Kukhtaruk, та інші
Опубліковано: (2017) -
HgCdTe quantum wells grown by molecular beam epitaxy
за авторством: Dvoretsky, S.A, та інші
Опубліковано: (2007)