On a doped transition layer in the space charge region of Schottky contact
A technique is proposed for estimation of maximal thickness of a doped semiconductor transition layer in a Schottky contact. It is based on taking spectral curves of transverse photovoltage. It is shown that in gallium arsenide crystal with starting impurity concentration of 10¹⁶ cm-³, a layer with...
Збережено в:
| Дата: | 2002 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2002
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121338 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | On a doped transition layer in the space charge region of Schottky contact / L.V. Shekhovtsov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2002. — Т. 5, № 4. — С. 403-405. — Бібліогр.: 8 назв. — англ. |