Scattering mechanisms of electrons in monocrystalline PbTe, PbSe and PbS
The theoretical analysis of carrier scattering mechanisms in electronic lead chalcogenide crystals was carried out. The calculation of carrier mobility in wide temperature (4.2-300 К) and concentration (10¹⁶-10²⁰ сm⁻³) ranges is carried out from the viewpoint of interaction of conductivity electrons...
Збережено в:
| Дата: | 2002 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2002
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121369 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Scattering mechanisms of electrons in monocrystalline PbTe, PbSe and PbS / D.M. Freik, L.I. Nykyruy, V.M. Shperun // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2002. — Т. 5, № 4. — С. 362-367. — Бібліогр.: 25 назв. — англ. |