Fabrication and electrical characteristics of nano black phosphorus thin film transistor
This text introduced a method to fabricate black phosphorus(BP) nanosheet field effect transistor(FET). The X ray diffraction analysis, scanning electron microscopy, and FET performance of the black phosphorus products were analyzed, and the output characteristic curves and the transfer characterist...
Збережено в:
| Дата: | 2016 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2016
|
| Назва видання: | Functional Materials |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121408 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Fabrication and electrical characteristics of nano black phosphorus thin film transistor / Wang Lie-long // Functional Materials. — 2016. — Т. 23, № 3. — С. 404-407. — Бібліогр.: 15 назв. — англ. |