Effect of weak magnetic field on structural arrangement of extrinsic oxygen atoms and mechanical properties of silicon monocrystals
IR spectroscopy study is indicative of the change in the relative concentration of interstitial oxygen in silicon monocrystals after their treatment by using the magnetic field. This is an evidence of a considerable effect of magnetic field on the defect structure of the investigated crystals.
Збережено в:
| Дата: | 2006 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2006
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121440 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Effect of weak magnetic field on structural arrangement of extrinsic oxygen atoms and mechanical properties of silicon monocrystals / V.A. Makara, L.P. Steblenko, Yu.L. Kolchenko, S.M. Naumenko, I.P. Lisovsky, D.O. Mazunov, Yu.Yu. Mokliak // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2006. — Т. 9, № 2. — С. 1-3. — Бібліогр.: 9 назв. — англ. |