Lowering the density of dislocations in heteroepitaxial III-nitride layers: Effect of sapphire substrate treatment (review)
In this paper, different methods for lowering the dislocation density such as incorporation of the buffer layers, substrate patterning and nitridation, silan-ammonia treatment are reviewed and compared. Advantages and limitations of these methods as well as a specific mechanism to reduce the disloca...
Збережено в:
| Дата: | 2016 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2016
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121516 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Lowering the density of dislocations in heteroepitaxial III-nitride layers: Effect of sapphire substrate treatment (review) / P.V. Parphenyuk, A.A. Evtukh // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2016. — Т. 19, № 1. — С. 1-8. — Бібліогр.: 78 назв. — англ. |