Analysis of the silicon solar cells efficiency. Type of doping and level optimization
The theoretical analysis of photovoltaic conversion efficiency of highly effective silicon solar cells (SC) has been performed for n-type and p-type bases. Considered here is the case when the Shockley–Read–Hall recombination in the silicon bulk is determined by the deep level of Fe. It has shown th...
Збережено в:
Дата: | 2016 |
---|---|
Автори: | , , , , , , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2016
|
Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121527 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Analysis of the silicon solar cells efficiency. Type of doping and level optimization / A.V. Sachenko, V.P. Kostylyov, M.V. Gerasymenko, R.M. Korkishko, M.R. Kulish, M.I. Slipchenko, I.O. Sokolovskyi, V.V. Chernenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2016. — Т. 19, № 1. — С. 67-74. — Бібліогр.: 14 назв. — англ. |