Investigation of growing the Hg₁₋x₋y₋zAxByCzTe solid solutions by modified zone melting method
This paper presents research of the process for growing the crystals of semiconductor solid solutions Hg₁₋x₋y₋zAxByCzTe under conditions of a modified zone melting.
Збережено в:
| Дата: | 2005 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2005
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121548 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Investigation of growing the Hg₁₋x₋y₋zAxByCzTe solid solutions by modified zone melting method / I.N. Gorbatyuk, V.V. Zhikharevich, S.E. Ostapov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2005. — Т. 8, № 4. — С. 22-25. — Бібліогр.: 5 назв. — англ. |