Electric field and carrier concentration distributions in the semiconductor under photorefractive Gunn effect
In the framework of the one-dimension field model of semiconductor simultaneosly subjected to the action of carrier-warming electric field and two quasi-monochromatic light waves the authors have numerically calculated the spatial-temporal distributions of inner electric field Е(x,τ) and conductivit...
Збережено в:
| Дата: | 2006 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2006
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121587 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Electric field and carrier concentration distributions in the semiconductor under photorefractive Gunn effect / P.M. Gorley, P.P. Horley, S.M. Chupyra // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2006. — Т. 9, № 1. — С. 93-96. — Бібліогр.: 8 назв. — англ. |