Investigation on the bandgap of semiconductor solid solution Hg₁₋x₋y₋zCdxMnyZnzTe

The paper presents a investigation on the bandgap of a new narrow-gap semiconductor solid solution Hg₁₋x₋y₋zCdxMnyZnzTe via optical measurements. Modeling of the edge of fundamental absorption for Hg₁₋x₋y₋zCdxMnyZnzTe is performed and specifying values of the bandgap at room temperature in crystals...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2006
Автори: Zhikharevich, V.V., Ostapov, S.E., Deibuk, V.G.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2006
Назва видання:Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121612
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Investigation on the bandgap of semiconductor solid solution Hg₁₋x₋y₋zCdxMnyZnzTe / V.V. Zhikharevich, S.E. Ostapov, V.G. Deibuk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2006. — Т. 9, № 3. — С. 17-21. — Бібліогр.: 20 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine