Investigation on the bandgap of semiconductor solid solution Hg₁₋x₋y₋zCdxMnyZnzTe
The paper presents a investigation on the bandgap of a new narrow-gap semiconductor solid solution Hg₁₋x₋y₋zCdxMnyZnzTe via optical measurements. Modeling of the edge of fundamental absorption for Hg₁₋x₋y₋zCdxMnyZnzTe is performed and specifying values of the bandgap at room temperature in crystals...
Збережено в:
| Дата: | 2006 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2006
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121612 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Investigation on the bandgap of semiconductor solid solution Hg₁₋x₋y₋zCdxMnyZnzTe / V.V. Zhikharevich, S.E. Ostapov, V.G. Deibuk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2006. — Т. 9, № 3. — С. 17-21. — Бібліогр.: 20 назв. — англ. |