Drift correction of the analyzed area during the study of the lateral elemental composition distribution in single semiconductor nanostructures by scanning Auger microscopy
The main difficulty in obtaining the lateral elemental composition distribution maps of the semiconductor nanostructures by Scanning Auger Microscopy is the thermal drift of the analyzed area, arising from its local heating with the electron probe and subsequent shift. Therefore, the main goal of...
Збережено в:
| Дата: | 2016 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2016
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121651 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Drift correction of the analyzed area during the study of the lateral elemental composition distribution in single semiconductor nanostructures by scanning Auger microscopy / S.S. Ponomaryov, V.O. Yukhymchuk, M.Ya. Valakh // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2016. — Т. 19, № 4. — С. 321-327. — Бібліогр.: 28 назв. — англ. |