Подавление тепловыми флуктуациями пика дифференциальной туннельной проводимости фазово-когерентной двухслойной системы
При низких температурах в полупроводниковых гетероструктурах с двумя близко расположенными электронными слоями наблюдается высокий узкий пик межслоевой дифференциальной туннельной проводимости. Этот пик является следствием межслоевой фазовой когерентности, которая устанавливается в системе благод...
Збережено в:
| Видавець: | Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2005 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2005
|
| Назва видання: | Физика низких температур |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121710 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Подавление тепловыми флуктуациями пика дифференциальной туннельной проводимости фазово-когерентной двухслойной системы / А.И. Безуглый // Физика низких температур. — 2005. — Т. 31, № 10. — С. 1153-1157. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |