Pressure effect on the Fermi surface and electronic structure of LuGa₃ and TmGa₃

• Дата: 2005
• Автори: Pluzhnikov, V.B., Grechnev, G.E., Czopnik, A., Eriksson, O.
• Формат: Стаття
• Мова: English
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2005
• Назва видання: Физика низких температур
• Теми: Электpонные свойства металлов и сплавов
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121761
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Pressure effect on the Fermi surface and electronic structure of LuGa₃ and TmGa₃ / V.B. Pluzhnikov, G.E. Grechnev, A. Czopnik, O. Eriksson // Физика низких температур. — 2005. — Т. 31, № 3-4. — С. 412-421. — Бібліогр.: 34 назв. — англ.

The Fermi surfaces and cyclotron masses of LuGa₃ and TmGa₃ compounds are studied by means of the de Haas—van Alphen effect technique under pressure. The highly anisotropic pressure dependences of the de Haas—van Alphen frequencies and cyclotron masses have been observed in both compounds. Concurr...