Temperature changes in the excitonic absorption band in flat double nanoheterostructures GaAs/AlxGa₁₋xAs
Adduced in this paper are the method and results of theoretical studying the effects of spatial confinement and exciton-phonon interaction on the position and shape of the excitonic absorption band in flat double nanoheterostructures GaAs/AlxGa₁₋xAs. The heterojunction has been considered as unstrai...
Збережено в:
| Дата: | 2015 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2015
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121803 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Temperature changes in the excitonic absorption band in flat double nanoheterostructures GaAs/AlxGa₁₋xAs / D.V. Kondryuk, A.V. Derevyanchuk, V.M. Kramar, A.A. Kudryavtsev // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2015. — Т. 18, № 2. — С. 128-133. — Бібліогр.: 33 назв. — англ. |