Magnetization in AIIIBV semiconductor heterostructures with the depletion layer of manganese

• Видавець: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
• Дата: 2015
• Автори: Charikova, T., Okulov, V., Gubkin, A., Lugovikh, A., Moiseev, K., Nevedomsky, V., Kudriavtsev, Yu., Gallardo, S., Lopez, M.
• Формат: Стаття
• Мова: English
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2015
• Назва видання: Физика низких температур
• Теми: XX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/122039
• Цитувати: Magnetization in AIIIBV semiconductor heterostructures with the depletion layer of manganese / T. Charikova, V. Okulov, A. Gubkin, A. Lugovikh, K. Moiseev, V. Nevedomsky, Yu. Kudriavtsev, S. Gallardo, M. Lopez // Физика низких температур. — 2015. — Т. 41, № 2. — С. 207-209. — Бібліогр.: 9 назв. — англ.

The magnetic moment and magnetization in GaAs/Ga₀.₈₄In₀.₁₆As/GaAs heterostructures with Mn deluted in GaAs cover layers and with atomically controlled Mn δ-layer thicknesses near GaInAs-quantum well (~3 nm) in temperature range T = 1.8–300 K in magnetic field up to 50 kOe have been investigated. The...