Юстировка пороговых напряжений в технологии БИС

На основе H-MOS-технологии разработаны новые методы контроля малых доз ионного легирования в системной технологии микроэлектроники.

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:1999
Автори: Новосядлый, С.П., Буджак, Я.С.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 1999
Назва видання:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/122697
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Юстировка пороговых напряжений в технологии БИС / С.П. Новосядлый, Я.С. Буджак // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1999. — № 2-3. — С. 20-23. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine