Юстировка пороговых напряжений в технологии БИС
На основе H-MOS-технологии разработаны новые методы контроля малых доз ионного легирования в системной технологии микроэлектроники.
Збережено в:
| Дата: | 1999 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
1999
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/122697 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Юстировка пороговых напряжений в технологии БИС / С.П. Новосядлый, Я.С. Буджак // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1999. — № 2-3. — С. 20-23. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-122697 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1226972017-07-18T18:16:02Z Юстировка пороговых напряжений в технологии БИС Новосядлый, С.П. Буджак, Я.С. Технологические процессы На основе H-MOS-технологии разработаны новые методы контроля малых доз ионного легирования в системной технологии микроэлектроники. Based on H-MOS technology the process control inspection new methods of dosage concentration of doping in system technology of microelectronics have been developed. 1999 Article Юстировка пороговых напряжений в технологии БИС / С.П. Новосядлый, Я.С. Буджак // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1999. — № 2-3. — С. 20-23. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/122697 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Технологические процессы Технологические процессы |
| spellingShingle |
Технологические процессы Технологические процессы Новосядлый, С.П. Буджак, Я.С. Юстировка пороговых напряжений в технологии БИС Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description |
На основе H-MOS-технологии разработаны новые методы контроля малых доз ионного легирования в системной технологии микроэлектроники. |
| format |
Article |
| author |
Новосядлый, С.П. Буджак, Я.С. |
| author_facet |
Новосядлый, С.П. Буджак, Я.С. |
| author_sort |
Новосядлый, С.П. |
| title |
Юстировка пороговых напряжений в технологии БИС |
| title_short |
Юстировка пороговых напряжений в технологии БИС |
| title_full |
Юстировка пороговых напряжений в технологии БИС |
| title_fullStr |
Юстировка пороговых напряжений в технологии БИС |
| title_full_unstemmed |
Юстировка пороговых напряжений в технологии БИС |
| title_sort |
юстировка пороговых напряжений в технологии бис |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
1999 |
| topic_facet |
Технологические процессы |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/122697 |
| citation_txt |
Юстировка пороговых напряжений в технологии БИС / С.П. Новосядлый, Я.С. Буджак // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1999. — № 2-3. — С. 20-23. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| work_keys_str_mv |
AT novosâdlyjsp ûstirovkaporogovyhnaprâženijvtehnologiibis AT budžakâs ûstirovkaporogovyhnaprâženijvtehnologiibis |
| first_indexed |
2023-10-18T20:42:24Z |
| last_indexed |
2023-10-18T20:42:24Z |
| _version_ |
1796150899227230208 |