Юстировка пороговых напряжений в технологии БИС
На основе H-MOS-технологии разработаны новые методы контроля малых доз ионного легирования в системной технологии микроэлектроники.
Збережено в:
| Дата: | 1999 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
1999
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/122697 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Юстировка пороговых напряжений в технологии БИС / С.П. Новосядлый, Я.С. Буджак // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1999. — № 2-3. — С. 20-23. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |