Горячепрессованные многофункциональные керамические материалы на основе ковалентных соединений
Изучены прочностные и электрофизические свойства горячепрессованных материалов на основе ковалентных соединений Si₃N₄, SiC, В₄С в зависимости от состава материалов. Получен плотный керамический материал системы Si₃N₄–MgO–3%TiN–1,7%Mo, сочетающий высокую прочность и низкое электросопротивление, и при...
Збережено в:
Дата: | 2011 |
---|---|
Автори: | , , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Українське матеріалознавче товариство
2011
|
Назва видання: | Вісник Українського матеріалознавчого товариства |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/125356 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Горячепрессованные многофункциональные керамические материалы на основе ковалентных соединений / В.В. Ивженко, О.Н. Кайдаш, Г.Ф. Сарнавская, В.А. Попов // Вісник Українського матеріалознавчого товариства. — 2011. — № 1(4). — С. 76-84. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineРезюме: | Изучены прочностные и электрофизические свойства горячепрессованных материалов на основе ковалентных соединений Si₃N₄, SiC, В₄С в зависимости от состава материалов. Получен плотный керамический материал системы Si₃N₄–MgO–3%TiN–1,7%Mo, сочетающий высокую прочность и низкое электросопротивление, и пригодный для использования в качестве нагревательных элементов. Установлено, что в материалах системы SiC–В₄С–ТiC при увеличении содержания TiС до 10,1% удельное электросопротивление снижается до 7 × 10⁻² Ом·м, прочность изменяется незначительно, а вязкость разрушения (K1c) возрастает до 3,8 МПа·м¹/². Разработанный материал пригоден для использования в качестве фильер для получения базальтовых волокон. Показано, что в керамическом материале, полученном горячим прессованием с реакционным спеканием системы В₄С–TiH₂, увеличение содержания TiH₂ до 9% приводит к снижению твердости на 16%, удельного электросопротивления на порядок до 2,7 × 10⁻² Ом·м, мало влияет на Rbm = 480–500 МПа, повышает K1c с 3,8 МПа·м¹/² до 6,0 МПа·м¹/², а коэффициент термического расширения с 2,7 × 10⁻⁶/К до 5,2 × 10⁻⁶/К. |
---|