Вплив ізовалентної домішки Ge і термовідпалів на електрофізичні властивості кристалів кремнію
У зразках Cz−Si n-типу, легованих ізовалентною домішкою германію, виявлено суттєве зниження ефективності утворення термодонорів у процесі термовідпалів, а також встановлено підвищення радіаційної стійкості приблизно на порядок при опроміненні nSi ⟨Ge⟩ швидкими нейтронами реактора....
Збережено в:
| Дата: | 2016 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
2016
|
| Назва видання: | Доповіді НАН України |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/125716 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Вплив ізовалентної домішки Ge і термовідпалів на електрофізичні властивості кристалів кремнію / Г.П. Гайдар, П.І. Баранський // Доповіді Національної академії наук України. — 2016. — № 7. — С. 62-69. — Бібліогр.: 15 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | У зразках Cz−Si n-типу, легованих ізовалентною домішкою германію, виявлено суттєве
зниження ефективності утворення термодонорів у процесі термовідпалів, а також
встановлено підвищення радіаційної стійкості приблизно на порядок при опроміненні
nSi ⟨Ge⟩ швидкими нейтронами реактора. |
|---|