2025-02-21T08:34:52-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-125716%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-21T08:34:52-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-125716%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-21T08:34:52-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-21T08:34:52-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Вплив ізовалентної домішки Ge і термовідпалів на електрофізичні властивості кристалів кремнію
У зразках Cz−Si n-типу, легованих ізовалентною домішкою германію, виявлено суттєве зниження ефективності утворення термодонорів у процесі термовідпалів, а також встановлено підвищення радіаційної стійкості приблизно на порядок при опроміненні nSi ⟨Ge⟩ швидкими нейтронами реактора....
Saved in:
| Main Authors: | , |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
2016
|
| Series: | Доповіді НАН України |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/125716 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| id |
irk-123456789-125716 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1257162017-11-03T03:02:53Z Вплив ізовалентної домішки Ge і термовідпалів на електрофізичні властивості кристалів кремнію Гайдар, Г.П. Баранський, П.І. Фізика У зразках Cz−Si n-типу, легованих ізовалентною домішкою германію, виявлено суттєве зниження ефективності утворення термодонорів у процесі термовідпалів, а також встановлено підвищення радіаційної стійкості приблизно на порядок при опроміненні nSi ⟨Ge⟩ швидкими нейтронами реактора. В образцах Cz−Si n-типа, легированных изовалентной примесью германия, выявлено существенное снижение эффективности образования термодоноров в процессе термоотжигов, а также установлено повышение радиационной стойкости приблизительно на порядок при облучении n-Si ⟨Ge⟩ быстрыми нейтронами реактора. In n-type Cz−Si samples doped by the germanium isovalent impurity, a significant decrease in the efficiency of formation of thermodonors in the thermoannealing process is found, as well as an increase of the radiation hardness by order of magnitude under the irradiation of n-Si ⟨Ge⟩ by fast-pile neutrons is established. 2016 Article Вплив ізовалентної домішки Ge і термовідпалів на електрофізичні властивості кристалів кремнію / Г.П. Гайдар, П.І. Баранський // Доповіді Національної академії наук України. — 2016. — № 7. — С. 62-69. — Бібліогр.: 15 назв. — укр. 1025-6415 DOI: doi.org/10.15407/dopovidi2016.07.062 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/125716 621.315.592 uk Доповіді НАН України Видавничий дім "Академперіодика" НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Ukrainian |
| topic |
Фізика Фізика |
| spellingShingle |
Фізика Фізика Гайдар, Г.П. Баранський, П.І. Вплив ізовалентної домішки Ge і термовідпалів на електрофізичні властивості кристалів кремнію Доповіді НАН України |
| description |
У зразках Cz−Si n-типу, легованих ізовалентною домішкою германію, виявлено суттєве
зниження ефективності утворення термодонорів у процесі термовідпалів, а також
встановлено підвищення радіаційної стійкості приблизно на порядок при опроміненні
nSi ⟨Ge⟩ швидкими нейтронами реактора. |
| format |
Article |
| author |
Гайдар, Г.П. Баранський, П.І. |
| author_facet |
Гайдар, Г.П. Баранський, П.І. |
| author_sort |
Гайдар, Г.П. |
| title |
Вплив ізовалентної домішки Ge і термовідпалів на електрофізичні властивості кристалів кремнію |
| title_short |
Вплив ізовалентної домішки Ge і термовідпалів на електрофізичні властивості кристалів кремнію |
| title_full |
Вплив ізовалентної домішки Ge і термовідпалів на електрофізичні властивості кристалів кремнію |
| title_fullStr |
Вплив ізовалентної домішки Ge і термовідпалів на електрофізичні властивості кристалів кремнію |
| title_full_unstemmed |
Вплив ізовалентної домішки Ge і термовідпалів на електрофізичні властивості кристалів кремнію |
| title_sort |
вплив ізовалентної домішки ge і термовідпалів на електрофізичні властивості кристалів кремнію |
| publisher |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України |
| publishDate |
2016 |
| topic_facet |
Фізика |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/125716 |
| citation_txt |
Вплив ізовалентної домішки Ge і термовідпалів на електрофізичні властивості кристалів кремнію / Г.П. Гайдар, П.І. Баранський // Доповіді Національної академії наук України. — 2016. — № 7. — С. 62-69. — Бібліогр.: 15 назв. — укр. |
| series |
Доповіді НАН України |
| work_keys_str_mv |
AT gajdargp vplivízovalentnoídomíškigeítermovídpalívnaelektrofízičnívlastivostíkristalívkremníû AT baransʹkijpí vplivízovalentnoídomíškigeítermovídpalívnaelektrofízičnívlastivostíkristalívkremníû |
| first_indexed |
2023-10-18T20:49:14Z |
| last_indexed |
2023-10-18T20:49:14Z |
| _version_ |
1796151192803344384 |