Вплив ізовалентної домішки Ge і термовідпалів на електрофізичні властивості кристалів кремнію

Вплив ізовалентної домішки Ge і термовідпалів на електрофізичні властивості кристалів кремнію

У зразках Cz−Si n-типу, легованих ізовалентною домішкою германію, виявлено суттєве зниження ефективності утворення термодонорів у процесі термовідпалів, а також встановлено підвищення радіаційної стійкості приблизно на порядок при опроміненні nSi ⟨Ge⟩ швидкими нейтронами реактора....

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2016
Автори: Гайдар, Г.П., Баранський, П.І.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: Видавничий дім "Академперіодика" НАН України 2016
Назва видання:Доповіді НАН України
Теми:
Фізика
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/125716
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Вплив ізовалентної домішки Ge і термовідпалів на електрофізичні властивості кристалів кремнію / Г.П. Гайдар, П.І. Баранський // Доповіді Національної академії наук України. — 2016. — № 7. — С. 62-69. — Бібліогр.: 15 назв. — укр.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-125716
record_format dspace
spelling irk-123456789-1257162017-11-03T03:02:53Z Вплив ізовалентної домішки Ge і термовідпалів на електрофізичні властивості кристалів кремнію Гайдар, Г.П. Баранський, П.І. Фізика У зразках Cz−Si n-типу, легованих ізовалентною домішкою германію, виявлено суттєве зниження ефективності утворення термодонорів у процесі термовідпалів, а також встановлено підвищення радіаційної стійкості приблизно на порядок при опроміненні nSi ⟨Ge⟩ швидкими нейтронами реактора. В образцах Cz−Si n-типа, легированных изовалентной примесью германия, выявлено существенное снижение эффективности образования термодоноров в процессе термоотжигов, а также установлено повышение радиационной стойкости приблизительно на порядок при облучении n-Si ⟨Ge⟩ быстрыми нейтронами реактора. In n-type Cz−Si samples doped by the germanium isovalent impurity, a significant decrease in the efficiency of formation of thermodonors in the thermoannealing process is found, as well as an increase of the radiation hardness by order of magnitude under the irradiation of n-Si ⟨Ge⟩ by fast-pile neutrons is established. 2016 Article Вплив ізовалентної домішки Ge і термовідпалів на електрофізичні властивості кристалів кремнію / Г.П. Гайдар, П.І. Баранський // Доповіді Національної академії наук України. — 2016. — № 7. — С. 62-69. — Бібліогр.: 15 назв. — укр. 1025-6415 DOI: doi.org/10.15407/dopovidi2016.07.062 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/125716 621.315.592 uk Доповіді НАН України Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Ukrainian
topic Фізика
Фізика
spellingShingle Фізика
Фізика
Гайдар, Г.П.
Баранський, П.І.
Вплив ізовалентної домішки Ge і термовідпалів на електрофізичні властивості кристалів кремнію
Доповіді НАН України
description У зразках Cz−Si n-типу, легованих ізовалентною домішкою германію, виявлено суттєве зниження ефективності утворення термодонорів у процесі термовідпалів, а також встановлено підвищення радіаційної стійкості приблизно на порядок при опроміненні nSi ⟨Ge⟩ швидкими нейтронами реактора.
format Article
author Гайдар, Г.П.
Баранський, П.І.
author_facet Гайдар, Г.П.
Баранський, П.І.
author_sort Гайдар, Г.П.
title Вплив ізовалентної домішки Ge і термовідпалів на електрофізичні властивості кристалів кремнію
title_short Вплив ізовалентної домішки Ge і термовідпалів на електрофізичні властивості кристалів кремнію
title_full Вплив ізовалентної домішки Ge і термовідпалів на електрофізичні властивості кристалів кремнію
title_fullStr Вплив ізовалентної домішки Ge і термовідпалів на електрофізичні властивості кристалів кремнію
title_full_unstemmed Вплив ізовалентної домішки Ge і термовідпалів на електрофізичні властивості кристалів кремнію
title_sort вплив ізовалентної домішки ge і термовідпалів на електрофізичні властивості кристалів кремнію
publisher Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
publishDate 2016
topic_facet Фізика
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/125716
citation_txt Вплив ізовалентної домішки Ge і термовідпалів на електрофізичні властивості кристалів кремнію / Г.П. Гайдар, П.І. Баранський // Доповіді Національної академії наук України. — 2016. — № 7. — С. 62-69. — Бібліогр.: 15 назв. — укр.
series Доповіді НАН України
work_keys_str_mv AT gajdargp vplivízovalentnoídomíškigeítermovídpalívnaelektrofízičnívlastivostíkristalívkremníû
AT baransʹkijpí vplivízovalentnoídomíškigeítermovídpalívnaelektrofízičnívlastivostíkristalívkremníû
first_indexed 2023-10-18T20:49:14Z
last_indexed 2023-10-18T20:49:14Z
_version_ 1796151192803344384

Схожі ресурси