Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами
В двойной квантовой яме n-InxGa₁₋xAs/GaAs (x ≈ 0,2) температурные зависимости продольного сопротивления ρxx(Т ) 2D-электронного газа с низкой подвижностью и концентрацией электронов вблизи перехода металл—диэлектрик В = 0 имеют «диэлектрический» характер в интервале температур T = 1,8–70 К (kBTτ...
Збережено в:
| Видавець: | Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2007 |
| Автори: | , , , , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2007
|
| Назва видання: | Физика низких температур |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/127535 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами / Ю.Г. Арапов, М.В. Якунин, С.В. Гудина, И.В. Карсканов, В.Н. Неверов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, С.М. Подгорных, Б.Н. Звонков, Е.А. Ускова // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 2-3. — С. 217-221. — Бібліогр.: 21 назв. — рос. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-127535 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1275352017-12-24T03:03:03Z Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами Арапов, Ю.Г. Якунин, М.В. Гудина, С.В. Карсканов, И.В. Неверов, В.Н. Харус, Г.И. Шелушинина, Н.Г. Подгорных, С.М. Звонков, Б.Н. Ускова, Е.А. Электронные свойства низкоразмерных систем В двойной квантовой яме n-InxGa₁₋xAs/GaAs (x ≈ 0,2) температурные зависимости продольного сопротивления ρxx(Т ) 2D-электронного газа с низкой подвижностью и концентрацией электронов вблизи перехода металл—диэлектрик В = 0 имеют «диэлектрический» характер в интервале температур T = 1,8–70 К (kBTτ/h 0,2–3,8). Аномальная температурная зависимость σху(B, T) в области ωсτ = 1 приводит к ряду особенностей перехода от режима слабой локализации и электрон-электронного взаимодействия к режиму квантового эффекта Холла в слабых магнитных полях. У подвійній квантовій ямі n-InxGa₁₋xAs/GaAs (x ≈ 0,2) температурні залежності поздовжнього опору ρxx(Т ) 2D-електронного газу з низькою рухливістю й концентрацією електронів поблизу переходу метал—діелектрик В = 0 мають «діелектричний» характер в інтервалі температур T = 1,8–70 К (kBTτ/h 0,2–3,8). Аномальна температурна залежність σху(B, T) в області ωсτ = 1 приводить до ряду особливостей переходу від режиму слабкої локалізації й електрон-електронної взаємодії до режиму квантового ефекту Холла в слабких магнітних полях. The resistivity ρxx(B, Т) for a low mobility dilute 2D elecron gas in GaAs/n-InGaAs/GaAs double quantum wells exhibits a monotonic «insulating-like» temperature dependence at T = 1,8–70 К (dρxx(T)/dT < 0) in zero magnetic field and (dσxy(B, T)/dT < 0) in the vicinity of ωcτ < 1 . This temperature interval corresponds to diffusive and ballistic regimes (kBTτ/h 0,1–3,8) for our samples. The electron density is on a «metallic» side (n > nc ) of the so-called B = 0 2D metal—insulator transition. Due to this anomalous σxy(B, T) T-dependence we observed some peculiarities of the insulator—quantum Hall state (with ν = 10) transition in low magnetic fields. 2007 Article Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами / Ю.Г. Арапов, М.В. Якунин, С.В. Гудина, И.В. Карсканов, В.Н. Неверов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, С.М. Подгорных, Б.Н. Звонков, Е.А. Ускова // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 2-3. — С. 217-221. — Бібліогр.: 21 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 73.50.Jt , 71.30.+h http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/127535 ru Физика низких температур Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Электронные свойства низкоразмерных систем Электронные свойства низкоразмерных систем |
| spellingShingle |
Электронные свойства низкоразмерных систем Электронные свойства низкоразмерных систем Арапов, Ю.Г. Якунин, М.В. Гудина, С.В. Карсканов, И.В. Неверов, В.Н. Харус, Г.И. Шелушинина, Н.Г. Подгорных, С.М. Звонков, Б.Н. Ускова, Е.А. Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами Физика низких температур |
| description |
В двойной квантовой яме n-InxGa₁₋xAs/GaAs (x ≈ 0,2) температурные зависимости продольного сопротивления ρxx(Т ) 2D-электронного газа с низкой подвижностью и концентрацией
электронов вблизи перехода металл—диэлектрик В = 0 имеют «диэлектрический» характер в
интервале температур T = 1,8–70 К (kBTτ/h 0,2–3,8). Аномальная температурная зависимость
σху(B, T) в области ωсτ = 1 приводит к ряду особенностей перехода от режима слабой локализации и электрон-электронного взаимодействия к режиму квантового эффекта Холла в слабых
магнитных полях. |
| format |
Article |
| author |
Арапов, Ю.Г. Якунин, М.В. Гудина, С.В. Карсканов, И.В. Неверов, В.Н. Харус, Г.И. Шелушинина, Н.Г. Подгорных, С.М. Звонков, Б.Н. Ускова, Е.А. |
| author_facet |
Арапов, Ю.Г. Якунин, М.В. Гудина, С.В. Карсканов, И.В. Неверов, В.Н. Харус, Г.И. Шелушинина, Н.Г. Подгорных, С.М. Звонков, Б.Н. Ускова, Е.А. |
| author_sort |
Арапов, Ю.Г. |
| title |
Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами |
| title_short |
Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами |
| title_full |
Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами |
| title_fullStr |
Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами |
| title_full_unstemmed |
Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами |
| title_sort |
особенности квантовых эффектов в 2d-структурах gaas/n-ingaas/gaas с двойными квантовыми ямами |
| publisher |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| publishDate |
2007 |
| topic_facet |
Электронные свойства низкоразмерных систем |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/127535 |
| citation_txt |
Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами / Ю.Г. Арапов, М.В. Якунин, С.В. Гудина, И.В. Карсканов, В.Н. Неверов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, С.М. Подгорных, Б.Н. Звонков, Е.А. Ускова // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 2-3. — С. 217-221. — Бібліогр.: 21 назв. — рос. |
| series |
Физика низких температур |
| work_keys_str_mv |
AT arapovûg osobennostikvantovyhéffektovv2dstrukturahgaasningaasgaassdvojnymikvantovymiâmami AT âkuninmv osobennostikvantovyhéffektovv2dstrukturahgaasningaasgaassdvojnymikvantovymiâmami AT gudinasv osobennostikvantovyhéffektovv2dstrukturahgaasningaasgaassdvojnymikvantovymiâmami AT karskanoviv osobennostikvantovyhéffektovv2dstrukturahgaasningaasgaassdvojnymikvantovymiâmami AT neverovvn osobennostikvantovyhéffektovv2dstrukturahgaasningaasgaassdvojnymikvantovymiâmami AT harusgi osobennostikvantovyhéffektovv2dstrukturahgaasningaasgaassdvojnymikvantovymiâmami AT šelušininang osobennostikvantovyhéffektovv2dstrukturahgaasningaasgaassdvojnymikvantovymiâmami AT podgornyhsm osobennostikvantovyhéffektovv2dstrukturahgaasningaasgaassdvojnymikvantovymiâmami AT zvonkovbn osobennostikvantovyhéffektovv2dstrukturahgaasningaasgaassdvojnymikvantovymiâmami AT uskovaea osobennostikvantovyhéffektovv2dstrukturahgaasningaasgaassdvojnymikvantovymiâmami |
| first_indexed |
2023-10-18T20:53:17Z |
| last_indexed |
2023-10-18T20:53:17Z |
| _version_ |
1796151370459381760 |