Вклады электрон-электронного взаимодействия и слабой локализации в проводимость гетероструктур p-Ge/Ge₁₋xSix
Разделены вклады в проводимость от модифицированного беспорядком электрон-электронного взаимодействия и слабой локализации для гетероструктур p-Ge/Ge₁₋xSix с низкой подвижностью носителей в магнитных полях 0 ≤ B ≤2 Тл при фиксированных температурах 0,2 K ≤ T ≤ 4,2 К. Вклад зеемановского расщеплени...
Збережено в:
| Дата: | 2007 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2007
|
| Назва видання: | Физика низких температур |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/127536 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Вклады электрон-электронного взаимодействия и слабой локализации в проводимость гетероструктур p-Ge/Ge₁₋xSix / Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, И.В. Карсканов, В.Н. Неверов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 2-3. — С. 222-227. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-127536 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1275362017-12-24T03:03:13Z Вклады электрон-электронного взаимодействия и слабой локализации в проводимость гетероструктур p-Ge/Ge₁₋xSix Арапов, Ю.Г. Гудина, С.В. Карсканов, И.В. Неверов, В.Н. Харус, Г.И. Ше, Н.Г Электронные свойства низкоразмерных систем Разделены вклады в проводимость от модифицированного беспорядком электрон-электронного взаимодействия и слабой локализации для гетероструктур p-Ge/Ge₁₋xSix с низкой подвижностью носителей в магнитных полях 0 ≤ B ≤2 Тл при фиксированных температурах 0,2 K ≤ T ≤ 4,2 К. Вклад зеемановского расщепления в магнитосопротивление был учтен в электрон-электронном взаимодействии, что позволило получить разумные значения времени релаксации энергии (время сбоя фазы τφ) и его степенную температурную зависимость, предсказанную теорией. Оценены значения параметров этих эффектов: константа взаимодействия Хартри Fσ0 = -0,51 амплитуда фермижидкостного взаимодействия λ = 0,40, фактор Ланде g = 12,0. Розділено внески в провідність модифікованої безладдям електрон-електронної взаємодії й слабкої локалізації для гетероструктур p-Ge/Ge₁₋xSix з низькою рухливістю носіїв у магнітних полях 0 ≤ B ≤2 Тл при фіксованих температурах 0,2 K ≤ T ≤ 4,2 К . Внесок зееманівського розщеплення в магнітоопір був врахований в електрон-електронній взаємодії, що дозволило одержати розумні значення часу релаксації енергії (час збою фази τφ)) і його степеневу температурну залежність, що передбачено теорією. Оцінено значення параметрів цих ефектів: константа взаємодії Хартри Fσ0 = -0,51, амплітуда фермірідинної взаємодії λ = 0,40, фактор Ланде g = 12,0. Contributions from the disorder-modified electron-electron interaction and weak localization to conductivity of low mobility p-Ge/Ge₁₋xSix heterostructures at 0,2 K ≤ T ≤ 4,2 К in magnetic field 0 ≤ B ≤2 were divided. Contributions of Zeeman splitting to magnetoresistance have been taken into consideration in the electron-electron interaction. This permitted us to obtain reasonable values of inelastic scattering time τφ and its power temperature dependence predicted by theory. The Hartree part of the interaction constant Fσ0 = -0,51, the amplitude of Fermi-liquid interaction λ = 0,40, the Lande factor g = 12.0 are estimated. 2007 Article Вклады электрон-электронного взаимодействия и слабой локализации в проводимость гетероструктур p-Ge/Ge₁₋xSix / Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, И.В. Карсканов, В.Н. Неверов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 2-3. — С. 222-227. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 73.20.Fz, 73.21.Ac, 73.40.–c http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/127536 ru Физика низких температур Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Электронные свойства низкоразмерных систем Электронные свойства низкоразмерных систем |
| spellingShingle |
Электронные свойства низкоразмерных систем Электронные свойства низкоразмерных систем Арапов, Ю.Г. Гудина, С.В. Карсканов, И.В. Неверов, В.Н. Харус, Г.И. Ше, Н.Г Вклады электрон-электронного взаимодействия и слабой локализации в проводимость гетероструктур p-Ge/Ge₁₋xSix Физика низких температур |
| description |
Разделены вклады в проводимость от модифицированного беспорядком электрон-электронного взаимодействия и слабой локализации для гетероструктур p-Ge/Ge₁₋xSix с низкой подвижностью носителей в магнитных полях 0 ≤ B ≤2 Тл при фиксированных температурах
0,2 K ≤ T ≤ 4,2 К. Вклад зеемановского расщепления в магнитосопротивление был учтен в электрон-электронном взаимодействии, что позволило получить разумные значения времени
релаксации энергии (время сбоя фазы τφ) и его степенную температурную зависимость, предсказанную теорией. Оценены значения параметров этих эффектов: константа взаимодействия Хартри Fσ0 = -0,51 амплитуда фермижидкостного взаимодействия λ = 0,40, фактор Ланде g = 12,0. |
| format |
Article |
| author |
Арапов, Ю.Г. Гудина, С.В. Карсканов, И.В. Неверов, В.Н. Харус, Г.И. Ше, Н.Г |
| author_facet |
Арапов, Ю.Г. Гудина, С.В. Карсканов, И.В. Неверов, В.Н. Харус, Г.И. Ше, Н.Г |
| author_sort |
Арапов, Ю.Г. |
| title |
Вклады электрон-электронного взаимодействия и слабой локализации в проводимость гетероструктур p-Ge/Ge₁₋xSix |
| title_short |
Вклады электрон-электронного взаимодействия и слабой локализации в проводимость гетероструктур p-Ge/Ge₁₋xSix |
| title_full |
Вклады электрон-электронного взаимодействия и слабой локализации в проводимость гетероструктур p-Ge/Ge₁₋xSix |
| title_fullStr |
Вклады электрон-электронного взаимодействия и слабой локализации в проводимость гетероструктур p-Ge/Ge₁₋xSix |
| title_full_unstemmed |
Вклады электрон-электронного взаимодействия и слабой локализации в проводимость гетероструктур p-Ge/Ge₁₋xSix |
| title_sort |
вклады электрон-электронного взаимодействия и слабой локализации в проводимость гетероструктур p-ge/ge₁₋xsix |
| publisher |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| publishDate |
2007 |
| topic_facet |
Электронные свойства низкоразмерных систем |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/127536 |
| citation_txt |
Вклады электрон-электронного взаимодействия и слабой локализации в проводимость гетероструктур p-Ge/Ge₁₋xSix / Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, И.В. Карсканов, В.Н. Неверов, Г.И. Харус,
Н.Г. Шелушинина // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 2-3. — С. 222-227. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
| series |
Физика низких температур |
| work_keys_str_mv |
AT arapovûg vkladyélektronélektronnogovzaimodejstviâislabojlokalizaciivprovodimostʹgeterostrukturpgege1xsix AT gudinasv vkladyélektronélektronnogovzaimodejstviâislabojlokalizaciivprovodimostʹgeterostrukturpgege1xsix AT karskanoviv vkladyélektronélektronnogovzaimodejstviâislabojlokalizaciivprovodimostʹgeterostrukturpgege1xsix AT neverovvn vkladyélektronélektronnogovzaimodejstviâislabojlokalizaciivprovodimostʹgeterostrukturpgege1xsix AT harusgi vkladyélektronélektronnogovzaimodejstviâislabojlokalizaciivprovodimostʹgeterostrukturpgege1xsix AT šeng vkladyélektronélektronnogovzaimodejstviâislabojlokalizaciivprovodimostʹgeterostrukturpgege1xsix |
| first_indexed |
2023-10-18T20:53:17Z |
| last_indexed |
2023-10-18T20:53:17Z |
| _version_ |
1796151370566336512 |